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由上 登 | 松下電器中研
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由上 登
松下電器中研
小田 富士夫
松下電器中研
富岡 辰行
松下電器中研
由上 登
松下電器 中研
小田 富士夫
松下電器 中研
著作論文
CdS0.2Se0.8薄膜を用いた高速密着型イメ-ジセンサ (電子部品-1-) -- (OA用部品)
表面反転層を利用した応用抵抗効果 : 半導体(Device(応力効果, その他)
pn接合の特異な尖端応力効果 : pn接合の応力効果シンポジウム
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