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東工大極低温セ | 論文
- 21pHV-8 量子ホール端状態におけるエッジマグネトプラズモンのマイクロ波伝搬特性(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aHV-4 半導体ポイント接合における表面弾性波ポテンシャルの時間分解測定(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aHX-9 超伝導渦糸系における可逆不可逆転移とランダム組織化(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aHX-8 回転駆動された渦糸格子リングの微視的構造変化(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 26aYA-10 周期駆動された渦糸系の可逆不可逆転移III(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 28aYJ-3 周期駆動された渦糸系の可逆不可逆転移II(28aYJ 超伝導(渦糸),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- カーボンナノチューブの基礎と応用
- 26aYA-8 YNi_2B_2C渦糸系における運動によるピン止めII(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 28aYJ-2 YNi_2B_2C渦糸系における運動によるピン止め(28aYJ 超伝導(渦糸),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pYE-6 YNi_2B_2Cの渦糸状態とダイナミクスII(21pYE 超伝導/量子乱流・渦,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aXH-10 同時計測法によるAr^(q=3〜6)電荷移行反応の研究(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28aTX-4 量子ホール状態における電子波束伝播の時間分解測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-12 傾斜磁場を用いた二層V_T=1量子ホール状態における真性ギャップの測定(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
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