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東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設 | 論文
- 強磁性の電界制御
- 8a-E-17 (Ga, Mn)Asの超強磁場赤外磁気光吸収
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 8a-E-16 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導II
- 29p-R-6 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導
- 29p-R-5 Ga_Mn_xAs/GaAsにおける巨大な負の磁気抵抗効果
- CS-3-1 半導体へのスピン注入とスピンダイナミクスの光検出(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- (Ga, Mn)Asの磁性と電気伝導
- 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
- 28a-YN-1 Ga(Mn)Asのサブミリ波ESR
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
- 3-5族ベ-ス希薄磁性半導体のGMR (固体物理特集号)
- III-V族半導体への光によるスピン注入と核スピンの検出
- 核スピンのコヒーレント操作とその光検出
- 25pRP-3 強磁性半導体における磁気輸送現象とその制御(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aCC-10 電気二重層を用いた鉄超薄膜における電界効果(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))