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東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 | 論文
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造と半導体スピンエレクトロニクス
- 「21世紀を拓く薄膜結晶成長」特集号を組むにあたって
- スピン制御半導体の機能と可能性
- 量子カスケードレーザー用半導体材料
- 量子力スケードレーザーの現状と展望
- CS-11-5 InAsをベースとした量子カスケードレーザー(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)
- InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー
- 中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- ナロウギャップ半導体 InAs をベースにした量子カスケードレーザー
- 29pYH-1 ナロウギャップ半導体量子カスケード構造を用いた長波長発光素子
- スピンエレクトロニクスとは何か (特集 スピンエレクトロニクス--ナノ領域がもたらす技術革新)
- 3-02P-03 ガス分離カラムを使ったボールSAWセンサによる混合ガスの定量分析法(ポスターセッション 3)
- 1-06-05 球状弾性表面波ガスクロマトグラフのためのマイクロ分離カラムの開発(弾性表面波デバイス)
- ニューラルネットワークの手法を用いた断熱的量子計算における計算能力に関する考察
- 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
- 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
- III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性