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東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻 | 論文
- 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- ホイスラー合金Co_2V_Fe_xAl薄膜の構造、磁気、電気伝導特性
- 微細加工法により作製したCo_2(Cr_Fe_x)Al/Al-O/Co_Fe_接合のTMR特性
- ダブルバイアス法によるスピン偏極STM
- 25aYQ-8 Co表面の探針近傍におけるスピン偏極電子状態
- GaAs探針からのスピン偏極トンネルの観察と円偏光応答像
- 半導体レーザ励起CWテラヘルツ波光源による高分解能分光応用
- 層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生 (電子デバイス)
- Nd-Fe-B系焼結磁石における省Dy技術の研究動向
- スピントロニクスの現状と展望 (新春特集 ナノテクノロジー)
- 8p-L-10 FeCl_2H_2Oの磁性 II
- 12p-F-7 種々の交換相互作用がある場合の磁性体の磁化過程
- 3p-B-9 FeCl_2H_2Oの磁性理論
- ナノで実現する新しいデバイス原理への挑戦 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- 薄膜機能材料開発の技術動向 (薄膜機能材料)
- ガリウム添加ネオジウム-鉄-ボロン磁石
- アモルファス磁性部品のスイッチング電源への新しい応用
- スイッチング電源用非晶質合金 (材料)