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東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門 | 論文
- 24aPS-77 グラファイト(0001)面における大環状アルカンの凝集構造・電子構造(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 蒸着重合法によるエポキシ高分子薄膜の作製(有機デバイス全般・一般)
- イオンアシスト蒸着によるフッ素系高分子薄膜の作製(有機デバイス全般・一般)
- PB-38 硝化グラニュールの微生物生態構造解析(界面/バイオフィルム,ポスターセッションB,(1)ポスター発表会,研究発表会)
- 微生物固定化のための膜の改質と水処理分野への適用
- B-02 固体表面の物理化学的性状がバイオフィルム形成に及ぼす影響 : フローセル試験とシミュレーション解析(界面/バイオフィルム,(2)口頭発表会,研究発表会)
- PA-54 メンブレンエアレーションバイオフィルムにおける実験的解明およびシミュレーションモデルの構築(界面/バイオフィルム,ポスターセッションA,ポスター発表)
- メンブレンエアレーション法を応用した単一槽内有機物・窒素同時除去システム
- 中空糸メンブレンを用いた新しい水処理技術
- 自己組織化膜形成による酸化金属電極の表面修飾(有機材料・一般)
- TPD蒸着膜の熱重合による正孔輸送層の形成(光機能性有機材料・デバイス、光非線形現象,一般)
- TPD蒸着膜の熱重合による正孔輸送層の形成(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 熱力学解析による化合物半導体の気相成長 (特集 ワイドギャップ半導体の結晶成長技術--高度環境・エネルギー社会に向けて)
- 01aC08 GaN(0001)/(000-1)面の表面再構成面の解析(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)
- 17pC12 二成分完全固溶体結晶の実効分配係数の成長条件依存(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 化合物半導体気相成長の熱力学
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
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