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東京工業大学総合理工学研究科 | 論文
- 光学観測による再突入飛翔体の捕捉
- MUSES-C カプセル全機周り輻射加熱環境の工学的評価
- D-322 再突入飛行環境のシミュレーションのための熱化学モデルの検証
- D-321 高温域における水素分子の回転-振動緩和と解離について
- 球極座標方式による部分球面形状測定に関する研究 (第1報, 赤道近傍の球面形状評価)
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- 球極座標方式による部分球面形状計測システムの開発(第2報, 測定誤差要因の推定と逆解析)
- 球極座標方式による部分球面形状計測システムの開発(第1報, システムの設計と精度)
- LF-013 パターン情報ベースの命題論理式のための推論機の提案(人工知能・ゲーム)
- 内燃機関の騒音低減に関する研究分科会報告
- HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 21世紀の単電子デバイス
- 電子材料-ナノシリコンとネオシリコン
- ULSI技術は電気化学の時代
- Single Electron Memory Devices Based on Plasma-Derived Silicon Nanocrystals
- Electron Transport in Nanocrystalline Si Based Single Electron Transistors
- Single-Electron Tunneling Devices Based on Silicon Quantum Dots Fabricated by Plasma Process
- ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス
- 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
- MOCVD法による酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長(酸化物のエピタキシー)