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東京工大 工 | 論文
- 空気蛇行流の乱流特性に関する研究
- 生体反応の化学的シミュレ-ション
- 修飾シクロデキストリンを用いた酵素モデル (包接化合物)
- はじめに
- シリコン基板上に形成した金属/絶縁体量子効果デバイス
- 金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)/Siヘテロ接合量子効果デバイス
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- 前周期遷移金属チタンの活用--高選択的チタン反応剤
- N′-シアノ-S-メチルイソチオ尿素類とアミンとの反応における重金属イオンの効果
- 溶剤/界面活性剤/水系で形成される表面膜の溶剤蒸発調節効果
- 研究用およびベンチプラントのディジタル制御とその特徴--特別な方法を用いず触媒活性試験システムの全自動化が可能になった (ユニット計装へのディジタルコントロ-ラの導入)
- Re2O7-Al2O3触媒上のオレフィンのメタセシスに関する活性点〔オレフィンのメタセシス-8-〕
- Re2O7-Al2O3触媒上でのメタセシスにおけるオレフィン類の反応性および反応機構〔オレフィンのメタセシス-9-〕
- 担体付酸化レニウム触媒上でのオレフィンのメタセシス
- オレフィンの不均化反応-2-反応機構および官能基を含むオレフィンの反応
- オレフィンの不均化反応-1-不均化触媒の進歩
- MoO3-Al2O3触媒上におけるオレフィンの不均化反応ならびに吸着について
- プラセオジムイオン交換ゼオライトによる一酸化二窒素の光触媒分解