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東京大学物性研究所 | 論文
- 高分解能X線非弾性散乱実験と計算機実験によるPb(In1/2Nb1/2)O3の研究--反強誘電状態からリラクサーまでを制御するBサイトランダムネスの効果
- 20pPSA-9 Ag_2MnO_2における電子比熱係数γの磁場依存性(20pPSA 領域8ポスターセッション(低温:Mn酸化物,V酸化物,鉄オキシニクタイドなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pRE-10 無限層鉄酸化物SrFeO_2のCo,Mn固溶系におけるフラストレート磁性(フラストレーション系(スピネル・パイロクロア・2次元系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 29pTG-7 二次元量子スピン系(CuCl)Ca_2Nb_3O_のスピン一重項状態(29pTG 若手奨励賞記念講演・二次元量子スピン系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29pTG-6 二次元スピン系(CrCl)LaNb_2O_7の物性(29pTG 若手奨励賞記念講演・二次元量子スピン系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pQH-2 二次元量子スピン系(CuX)LaB_2O_7(X=Cl,Br; B=Nb,Ta)の量子相転移(20pQH 量子スピン系(二次元系及び一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pQH-1 S=1二次元磁性体(NiCl)Sr_2Ta_3O_の合成と磁性(20pQH 量子スピン系(二次元系及び一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 1a-G-5 Yb化合物における^Yb核のNMR
- 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Ni のスピン偏極内殻光電子分光
- 逆光電子分光
- 26aWL-6 二次元量子スピン系(CuCl)La(Nb_Ta_x)_2O_7の物性(26aWL 量子スピン系(一次元系・二次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26pYC-11 有限長金属カーボンナノチューブの低周波光吸収(ナノチューブ,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRB-6 カーボンナノチューブの電気伝導度に現れる3倍周期構造(ナノチューブ(伝導・構造),領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pXA-10 カーボンナノチューブの電気伝導率とAB効果(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
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