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東京大学工学部総合研究機構 | 論文
- 原子直視による GaN 界面の観察
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- X線偏光顕微法の開発と材料研究への応用 (特集 放射光を活用した材料研究)
- 光軸収差と色収差を補償する四象限X線移相子
- 特集企画にあたって
- β″-アルミナの特性と微細構造に及ぼすSiO_2及びFe_2O_3の影響
- アルミナ結晶粒界構造の分子軌道法による評価
- TFA-MOD法によるYBCO線材開発 : 反応、微細組織と臨界電流密度の関係
- SIMOX法で作製したSi微粒子界面の高分解能観察とモデル化
- 界面・粒界研究の新展開 : 企画にあたって
- 企画にあたって
- 酸化物超電導体におけるイオン照射欠陥
- 酸化物超電導体へのイオン照射と微細構造
- イオンプレ-ティング法で合成されたBN膜内の立方晶BNと六方晶BNの方位関係
- メカニカルミリングによるグラファイトの非晶質化過程の透過電子顕微鏡観察
- Bi2Sr2CaCu2Ox単結晶へのイオン照射によって創られた磁束止め点としてはたらくカスケ-ド欠陥
- 18MeV Fe^イオン照射によるBi_2Sr_2CaCu_2O_x超伝導体の特性と微構造の変化
- 19pXC-7 収差補正STEMによる界面超構造解析(シンポジウム 最新電子顕微鏡法を使った物性研究のいぶき,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOD-TFA法によるY123超電導膜の成長機構