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明治大学理工学部電子通信工学科 | 論文
- A-1-51 CMOS PLLを用いたホワイトノイズ発生に関する考察(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- CMOS PLLを用いたホワイトノイズの発生(生命現象,一般)
- OP-100-3 OPTIMOX1+bevacizumabによる術前化学療法を施行した進行下部直腸癌6例の検討(直腸癌術前治療-1,一般口演,第110回日本外科学会定期学術集会)
- VD-011-4 乳癌の外科治療における"real-time" virtual navigation(乳腺,一般ビデオ,第110回日本外科学会定期学術集会)
- 膵がん (特集 2010年最新版! ケアの根拠がわかる! 消化器がんの基礎知識)
- PD-7-2 直腸癌に対するpouch operationの評価 : 排便障害にかかわるreorectum機能を中心に(パネルディスカッション7 直腸癌におけるPouch operationとその成績,第64回日本消化器外科学会総会)
- 膵頭側区域・部分切除(PR) 頭部背側膵切除術 (特集 膵縮小手術の最前線)
- 反応性スパッタリングによるPd添加WO_3薄膜のエレクトロクロミズム特性
- Surrounding Gate Transistor(SGT)型ゲインセルを用いた新しいNAND DRAM(集積エレクトロニクス)
- Buried Gate type SGTフラッシュメモリ
- C-11-8 3 次元構造 Surrounding Gate Transistor (SGT) の下部拡散層形状解析方法の提案
- C-11-4 Buried Gate 型 SGT フラッシュメモリセル
- 同期理論の基礎と応用 数理科学,化学,生命科学から工学まで, Arkady Pikovsky,Michael Rosenblum,Jurgen Kurths(原著), 徳田功(訳), 丸善, 2009-12, A5判, 定価(本体8,800円+税)
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor (SGT) DRAM セルのソフトエラー現象の解析
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl2S4:Eu EL素子の作製 (電子ディスプレイ)
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製 (電子ディスプレイ)
- 白金パラジウム酸化物薄膜の電気特性と光学特性の関係
- WO_3-Bi_2O_3混合薄膜の作製と評価
- 厚膜誘電体を用いたBaAl_2S_4:Eu青色EL素子の検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Nドープ酸化タングステン薄膜の作製と評価
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