スポンサーリンク
日立製作所基礎研究所 | 論文
- Si-MOSFETにおける単一電子チャージング効果
- 光を用いた脳機能計測法 : 近赤外光トポグラフィ
- 8. 脳と心を観る : 無侵襲高次脳機能イメージング(見分ける,聞き分ける)
- 脳科学からのストレス理解
- 脳機能計測装置 光トポグラフィ
- 光トポグラフィー--無侵襲高次脳機能描画法 (特集 医用画像の最新情報)
- 近赤外分光法をもちいた無侵襲高次脳機能イメージング
- 光トポグラフィー : 新しい無侵襲脳機能計測法
- 光による無侵襲脳機能画像化技術-「光トポグラフィ」-
- 〔基調講演3〕 21世紀を支える夢ある新しい産業へ(機械設計)
- 14a-DH-6 FI-STM Study of Initial Growth Stage of GaAs on Si Epitaxy with Ga Prelayer
- Si表面におけるフラーレン吸着
- 30p-H-12 Si表面に吸着したフラーレンのFI-STM像における内部構造
- 30p-H-11 FI-STMによる金属表面に於るフラーレンの吸着
- 30p-H-10 FI-STMによる金属表面に於る酸素吸着
- 29p-J-6 FI-STMによる半導体表面
- 走査トンネル顕微鏡/分光法によるC60の表面吸着
- Cu(111)面上の硫黄/塩素吸着
- 28p-Y-7 Si(111)および(100)表面に吸着した銅フタロシアニンのSTM観察
- 28p-Y-5 C_ Adsorption on the Si(111)7x7 Surface