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日本電気 (株) 中央研究所 | 論文
- 座談会「基礎科学大型プロジェクト推進における省庁間協力」
- 3A5 知的労働生産性評価尺度の提案
- 2C8 先行指標なき研究開発に挑戦して
- S-6 超LSI技術と固体撮像デバイス
- GUNN効果素子の現状 : 半導体シンポジウム : GaAsバルク効果素子
- GaAsレーザ・ダイオードの室温特性 : イオン結晶・光物性
- 液相再成長によるplanar型Gunn diodeのn^-n contact : 結晶成長
- n^-GaAsの液相エピタキシヤル結晶成長 : 結晶成長
- GaPショットキーダイオードの高温での特性 : 半導体 (表面)
- 不純物添加によるIII-V族化合物の無転位結晶成長
- CdS-PbS Heterojunction : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
- レーザーと分光学 : 第5講半導体レーザー
- 8a-B-8 超伝導体のサイズ効果
- ZnS:P, Cd:Pの諸性質 : 光物性・イオン結晶
- パンチスルー型Si P-n-n^+接合のBreakdown電圧の温度依存 : 半導体 (薄膜およびトランジスターダイオード)
- 2B7 技術知識の減衰速度率 : 主要産業別