パンチスルー型Si P-n-n^+接合のBreakdown電圧の温度依存 : 半導体 (薄膜およびトランジスターダイオード)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 奥戸 雄二

  日本電気 (株) 中央研究所

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