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日本電信電話株式会社 | 論文
- 自然言語情報の開示制御技術DCNLの実現に向けて : プライバシー情報検知手法(セッションA-9:認証技術(2),プライバシー,情報漏えい(2))
- Gumblarの長期観測による分析 (インターネットアーキテクチャ)
- 異なり数上位Nホストの推定および異常検出への応用(トラヒック,一般)
- 画面遷移における遅延の許容範囲と遷移方法(五感メディアの品質,仮想空間におけるコミュニケーションデザイン,一般)
- 耐環境性に優れた低損失ポリマー光導波路
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- Backbone Provider BridgesによるGAVESの実現(アクティブネットワーク,IP-VPN,ネットワークセキュリティ,超高速ネットワーク,P2P通信,ネットワークソフトウェア,一般)
- 8-2 日本企業から米国・欧州大学への派遣体験 : 米国マサチューセッツ工科大学編/スイス連邦チューリッヒ工科大学編(8.企業からの客員研究員の海外派遣,私の国際交流の経験)
- 4ポート回路網を用いた屋内配電線から放射される磁界強度解析法(電磁環境・EMC)
- ライフログに基づくTV番組レコメンド方式の検討(ライフログ活用技術,オフィス情報システム,マルチメディアシステム,マルチメディア通信,IP放送/映像伝送,一般)
- ライフログに基づくTV番組レコメンド方式の検討
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