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日本電信電話株式会社 | 論文
- C-10-6 低群遅延偏差InP HBTフィードフォワード等化ICの一検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ユーザエクスペリエンス評価モデルの検討(ソーシャル・ネットワーク)
- 自己記述性に基づくウェブユーザビリティの検討
- 多視点デプスマップの情報を用いた高効率多視点映像符号化
- 読者に影響を与えるブログ記事発見手法(セッション1:web・ブックマーク)
- IEEE802.15.3cミリ波WPANに関する研究開発と標準化活動 : (6)アンテナ(移動通信ワークショップ)
- 読解力に影響を及ぼすワーキングメモリの抑制機能(発表要旨,日本基礎心理学会第21回大会)
- 読解力とワーキングメモリにおける抑制メカニズムの関係性
- 空間把握におけるワーキングメモリの役割(研究発表D,VII.第19回大会発表要旨)
- B-02 ワーキングメモリの資源共有モデルに関する検討
- ワーキングメモリの資源共有モデルに関する検討(研究発表B,AVプレゼンテーション,VII.第18回大会発表要旨)
- 読みのワーキングメモリとリーディングスパンテスト
- 読みのワーキングメモリに及ぼす単語の具体性の効果--日本語版リーディングスパンテストによる検討