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日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所 | 論文
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-2 フォトダイオード集積マイクロストリップアンテナアレーからのサブテラヘルツ波の放射(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 超高速可飽和吸収体型光ゲートを用いた光処理技術とその光識別、光時分割分離回路への適用
- 超高速可飽和吸収体型光ゲートを用いた光処理技術とその光識別、光時分割分離回路への適用
- InP HEMTを用いた46 Gb/sスーパーダイナミック型識別回路モジュール
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御(超高速・大容量光伝送/処理,波分散,及びデバイス技術,一般)
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 射出成形による高精度プラスチックフェルールの作製 : 三次元樹脂流動解析による成形シミュレーションと検証
- C-3-18 ドライエッチングによる石英系平面光波回路内への低損失垂直光路変換ミラー作製(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-3-54 npin構造InPマッハツェンダ光変調器の温度無依存駆動(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-3-37 L帯テルライト系EDFAの利得制御性
- 1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
- 光増幅器用テルライト/フッ化物ファイバモジュールの信頼性
- C-3-117 アンプ用テルライトファイバモジュールの信頼性
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