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日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所 | 論文
- B-13-7 簡易組立光コネクタ用ファイバ端面加工ツールの検討(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- B-13-3 簡易組立光コネクタにおける被覆付き光ファイバ把持の検討(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- C-4-27 差動駆動直接変調DFBレーザによる25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 直接変調DFBレーザのフリップチップ実装に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-53 イメージング用120GHz帯モノリシック集積型アンテナアレー(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 第19回インジウム燐および関連材料国際会議 (IPRM2007) 報告
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 赤外・近赤外色素分散ポリマーを用いた光導波路作製
- C-3-6 平面光波回路(PLC)集積型インバンドOSNRモニタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
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