スポンサーリンク
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 | 論文
- CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ (光エレクトロニクス)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ (電子部品・材料)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ (機構デバイス)
- 120GHz帯10Gbti/s無線伝送用BPSK変復調MMIC(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- B-10-51 10.3Gbit/sバーストモードクロックデータ再生装置(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- C-4-16 VOA内蔵10Gb/s-APD光受信器の特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- PLC集積型マイクロミラーアレイ作製技術とスタック型インラインモニタへの応用(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
- C-3-101 16連タップ集積可変光減衰器(C-3. 光エレクトロニクス(VOA), エレクトロニクス1)
- B-10-78 40Gbit/s NRZ-DQPSK信号のDGD耐力改善と50GHz間隔ROADMノード通過特性(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
スポンサーリンク