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日本鋼管(株)中央研究所 | 論文
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- Bi_2(Sr_1-_xLa_x)_2CoO_yセラミックの作製と電子状態の研究
- 高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(II)
- H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InAs(001)表面の研究
- ターシャリブチル燐,トリエチル燐のSi(001)表面上での分解過程
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 電子分光法によるトリメチル燐,トリエチル燐のSi(001),GaP(001)への吸着と分解の研究
- Si表面におけるターシャリブチルホスフィン(TBP)の吸着と分解過程の研究
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InP(001)表面の研究
- XPS,UPSによるトリエチルインジウムのGaPへの吸着と分解の研究
- Zn-Mn合金電気めっきの皮膜構造解析
- 熱延鋼板における溶融亜鉛めっき合金化挙動
- 低加速Arイオン照射によるTiO2のTi 2p XPSスペクトルの変化
- Si含有鋼板の表面構造と溶融亜鉛めっき密着性の関係
- オージェ電子分光法定量分析における装置補正因子
- 酸化物試料の X 線光電子分光法による定量分析
- イオンスパッタリングによる酸化物の X 線光電子ペクトルの変化
- 深さ方向分析におけるイオンスパッタリング収率の測定