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新日本無線株式会社 | 論文
- パルスマグネトロンにおけるスプリアス低減技術(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- コセカントビームホーンアレイアンテナ
- フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-27 76GHz帯フリップチップガン発振器の温度特性改善(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-17 76GHz帯フリップチップガンVCO(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-90 GaAsフリップチップダイオードを用いた76GHz帯レーダモジュール
- C-2-13 超音波接合技術を用いた38GHz帯GaAsフリップチップガン発振器の試作
- C-2-9 GaAsフリップチップSBDを用いた76 GHz帯平面回路型シングルバランスミキサ
- 77GHz帯InPフリップチップガン発振器
- C-2-18 PDC用アンテナスイッチIC
- PHS用トランシーバMMIC
- C-2-28 800MHz帯CDMA用利得可変形ドライバーアンプIC
- 正電源動作1.9GHz帯利得可変形低歪み増幅器MMIC
- 高アイソレーション, 低通過損失SPDTスイッチIC
- SSOP14 GaAs電力増幅器MMICの過渡熱抵抗評価
- 1.9GHz帯利得可変形低歪み増幅器MMIC
- +2.7V動作 GaAs SPDTスイッチIC
- Ku帯DRO GaAs MMIC
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET