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広島国際大 | 論文
- 低温下で重イオン照射したシリコン半導体の電気抵抗率その場測定I
- 30a-N-13 急冷した金中の空孔集合体のX線散漫散乱
- 4a-PS-6 アモルファス合金薄帯のイオン照射による誘導磁気異方性 II
- 5a-YG-7 急冷した銅中の空孔集合体のX線散漫散乱III
- 30p-PSB-29 アモルファス合金薄帯のイオン照射による誘導磁気異方性
- 31a-P-7 急冷した銅中の空孔集合体のX線散漫散乱II
- 15a-PS-52 イオン照射したアモルファス合金薄帯の磁気特性の温度変化
- 14a-DK-8 急冷した銅中の空孔集合体のX線散漫散乱
- 31p-PSB-71 イオン照射したアモルファス合金薄帯の磁気特性
- 31p-D-1 ダイアモンド結晶の放射線照射効果のX線的研究II
- 25p-PSA-6 アモルファス合金の照射誘起高透磁率 II
- 25p-H-3 ダイヤモンド結晶の放射線照射効果のX線的研究
- 30a-PS-48 Fe-B-Si-Cアモルファス合金の高エネルギーイオン照射効果
- 30a-PS-47 アモルファス合金の照射誘起高透磁率
- 急性期病院における看護業務量調査 : タイムスタディ法を用いて
- 高速度マイクロPIV法を用いたマイクロ油水向流計測(S20-4 撹拌・混合,S20 マイクロ・ナノスケールの流動現象)
- 高速度マイクロPIV法を用いたマイクロ流体デバイス内の非定常流計測
- マイクロ流体デバイス内の化学反応流における3次元的流れ場による拡散評価
- マイクロPIV法を用いたマイクロチップ内の水-油流場の可視化
- マイクロPIVとマイクロLIF法を用いたマイクロチップ内の化学反応流場の可視化・計測