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岡山大院自然 | 論文
- 28pXE-13 真空紫外領域における C_ の光イオン化過程
- 25aWJ-12 充填スクッテルダイト超伝導体RPt_4Ge_(R=La,Pr)の電子状態(25aWJ スクッテルダイト・籠状物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aPS-38 高磁気モーメント Fe-Co メカニカルアロイの磁性の研究
- 29aPS-38 高磁気モーメント Fe-Co メカニカルアロイの磁性の研究
- 岡山大学工学部電気電子工学科における実験科目への取組--物理学実験
- 28aWN-12 STM/STSを用いた金属内包フラーレンの構造と電子状態の観察(フラーレン固体物性)(領域7)
- 27aZP-6 高次フラーレンFETの動作特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-6 高次フラーレンFETの動作特性(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 21pXF-8 金属内包フラーレンの薄膜およびナノスケール物性
- 21pXF-4 Ce@C_ 異性体 II の構造
- 29pZB-5 金属内包フラーレン固体・薄膜の XAFS および分光研究
- 29pZB-3 Ce@C_ 異性体の構造
- 29pZB-2 金属内包フラーレンの電子的特性
- 18pWF-12 Dy@C_異性体IとIIの構造
- 18pWF-11 Dy@C_異性体IとIIの電子的特性
- 18pWF-10 M@C_(M: Y, Dy)固体の物性
- 18pWF-4 Ca, SrおよびCsドープC_の高圧での物性
- 28pXD-3 SiGe膜中への水素侵入に対する格子歪の影響(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pYM-3 水素によるGe基板上GeSi膜の歪み緩和促進効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 物理チャレンジ2008・フィジックスライブ(教育に関する一言)
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