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富士通株式会社:株式会社富士通研究所 | 論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C-3-121 PMDC 用 LiNbO_3 導波路型可変 DGD 装置
- C-3-64 小型偏波多重RZ-DQPSK集積LN光変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-58 PMDC用8ch LiNbO_3導波路型偏波制御器&可変DGD光回路(補償デバイス,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-7-3 高機能LN変調器(CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 小型ゼロチャープ10Gb/s LiNbO_3変調器(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-4-43 LiNbO_3変調器を用いた光周波数コム発生(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- SC-10-1 超高周波MMICパッケージング技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- C-2-7 70-110GHz帯高利得増幅器MMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- SC-10-1 分布型FETモデルを用いたデバイスパラメタのゲート幅スケーリングの検討
- 幾何学形状を考慮したFET小信号等価回路モデル
- AOTFのビート雑音低減
- AOTFのビｰト雑音低減
- C-3-126 0.9 V 駆動 LiNbO_3 40 Gb/s 光変調器
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