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大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 | 論文
- 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製 (特集 半導体エレクトロニクス)
- 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製
- 21aVE-2 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動2(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aVE-1 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動1(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- YMnO3系マルチフェロイック薄膜の物性と応用 (特集 マルチフェロイクス材料の作製と応用(1))
- 磁性強誘電体のマルチフェロイック物性
- YMnO_3/Y_2O_3/SiエピタキシャルMFIS構造の誘電特性
- Electro-Optic Effect in Epitaxial ZnO:Mn Thin Films
- Crystal Growth and Interfacial Characterization of Dielectric BaZrO_3 Thin Films on Si Substrates
- Ferroelectricity in Li-Doped ZnO:X Thin Films and their Application in Optical Switching Devices
- 18aYG-9 CeをドーピングしたSi系希薄磁性半導体におけるHall効果
- 新結晶・新物質 Si:Ce稀薄磁性半導体薄膜の新規な物性
- Lowering the Crystallization Temperature of YMnO_3 Thin Films by the Sol-Gel Method Using an Yttrium Alkoxide
- RMn0_3(R: rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
- レーザーアブレーション法によるZnO:X薄膜の作製と誘電特性
- RMnO_3(R:rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
- レーザーアブレーション法によるZnO : X薄膜の作製と誘電特性
- Effects of Stoichiometry and A-site Substitution on the Electrical Properties of Ferroelectric YMnO_3
- 水溶液から電位変化法により作製した傾斜機能酸化亜鉛膜のキャラクタリゼーション
- 01aC11 電気化学的堆積法によるZnO薄膜の成長速度依存性(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)