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大阪府大先端研 | 論文
- 25aYD-8 Fe-Pt合金のマルテンサイト変態と磁歪
- 29pXJ-8 FeRh 合金中の非平衡点欠陥の陽電子消滅測定
- 19pTG-12 B2型金属間化合物FePh及びFeAl合金中の格子欠陥の陽電子消滅寿命
- 27pPSB-17 イオン照射効果によるFePtの磁性変化(領域3ポスターセッション : 遷移金属化合物)(領域3)
- 21pPSA-39 イオン照射効果によるインバー合金の磁性変化
- In_Ga_As/GaAs_Sb_yタイプII多重量子井戸層のMBE成長
- 28aTA-3 シリコン中の窒素の偏析係数の理論的解析
- 分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 窒素ドープ Czochralski シリコン結晶の赤外吸収測定
- 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション : バルク結晶成長IV
- 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション(結晶成長理論の最近の動向)
- 絶縁体上のシリコン層(SOI)に形成したデバイスにおけるタングステンコンタクト不良の構造解析
- 17aTF-13 融液成長における成長速度と温度勾配の関係 : 分子動力学シミュレーション
- InP(111)B基板上へのGaAs_Sb_層の分子線エピタキシャル成長
- ツーフロー型有機金属気相成長法によるAl_2O_3(0001)基板上へのGaN直接成長
- 23pYP-2 シリコンの固-液界面における熱挙動と格子欠陥
- ツーフロー型有機金属気相成長法を用いたサファイア基板上へのGaN直接成長における大きな横方向成長速度 : エピタキシャル成長I
- 分子線成長In_Ga_As/GaAs_Sb_タイプII多重量子井戸層のフォトルミネセンスのドーピング依存性
- 分子線成長GaAs_Sb_層のドーピング特性