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大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 | 論文
- マルチホップ無線ネットワークにおけるネットワークコーディングによる双方向伝送に関する検討(無線分散ネットワーク(WDN)特集セッション,無線分散ネットワーク及び一般)
- マルチホップ無線ネットワークにおけるネットワークコーディングによる双方向伝送に関する検討(無線分散ネットワーク(WDN)特集セッション,無線分散ネットワーク及び一般)
- 複数波長によるEAMの歪み抑圧方式の検討(マイクロ波フォトニクス技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 異種無線システム間通信におけるコーデック選択エージェントの実験的評価(超高速モバイル通信時代のマルチメディアアプリケーション及び一般-((AVM)画像符号化,通信,ストリーム技術,及び一般/(MoMuC)パーソナルマルチメディア,モバイルP2P,モバイルコンテンツ))
- マルチホップ無線通信における符号合成を用いたTSTD型複数端末協力中継方式(システム,マルチホップ,移動衛星通信,無線通信一般)
- シミュレーティド・アニーリングを用いたテクノロジーマッピング
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 無アルカリガラス基板上多結晶GaN薄膜成長とフルカラー発光素子の最近の進歩 (特集 ディスプレイと表示材料の最新技術動向)
- Anisotropic Strain Estimated from Lattice Parameters Measured by Bond Method Using X-Ray Diffraction, in Molecular Beam Epitaxy-grown GaAs/Si(001)
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN^+_2イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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