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大阪大産研 | 論文
- 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-14 高バルク抵抗トポロジカル絶縁体におけるスピン偏極輸送特性観測の試み(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pAD-3 高分解能ARPESによるPb系トポロジカル絶縁体の電子状態(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
- 25aBJ-5 トポロジカル絶縁体Pb(Bl_Sb_x)_2Te_4の高分解能ARPES(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEA-9 TlBi(S,Se)_2のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-15 コバルト膜を蒸着したトポロジカル絶縁体バルク単結晶の輸送特性(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEA-8 Pb系トポロジカル絶縁体のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 19aEA-7 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのSTM/STS測定(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-3 Pb系トポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果 : スピン分解ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXG-8 Nb蒸着したトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTeSe_yのSTM/STS測定(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 25aJA-3 STMおよび時間分解光電子分光によるBi_Sb_Te_Se_の電子状態(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-8 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aDK-7 スピンポンプによるトポロジカル絶縁体へのスピン注入と起電力発生(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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