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大阪大産研 | 論文
- QD03 ZnOバリスタの光音響分光法による評価(ポスターセッションII)
- PC5 光を照射された多孔質シリコンの光音響分光(光-超音波エレクトロニクス,ポスターセッション1)
- PA12 多孔質シリコンの光音響分光と表面構造(ポスターセッション2)
- OA2 多孔質シリコンの光音響分光によるバンドギャップの評価(基礎・物性)
- 27aXT-9 ボロン水素複合欠陥によるn型ダイヤモンドの可能性についての第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 1D17 ホットプレス焼結 Si_3N_4/SiC ナノ複合材料の高分解能電子顕微鏡観察
- 19C-6 martensite変態の際の温度分布について
- Zn1-xCoxO混晶焼結体の光音響分光法による評価(中村義一教授,五十嵐秀二教授に捧ぐ)
- 2D11 劣化した ZnO バリスタ中のバルクトラップの SADLTS 法による評価
- 多孔質シリコンの圧電光音響スペクトルの変調周波数依存性による評価(中村義一教授,五十嵐秀二教授に捧ぐ)
- 機能材料工学科 ZnOバリスタの通電による初期劣化の評価
- 機能材料工学科 ZnOバリスタのSb2O3及びCr2O3添加によるスピネル粒子の形成
- 25pB-4 アークプラズマ制御のフラーレンベースナノ構造創成への効果
- 26aB7 プラズマ制御によるフラーレンベースのナノ構造創成(ヘリカル/プラズマ応用)
- 29p-XH-1 プラズマ制御によるSi-フラーレン複合物質の創製
- 26aHG-5 新トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の高分解能ARPES(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHB-8 タリウム系トポロジカル絶縁体の高分解能ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
- 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
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