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大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻 | 論文
- 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
- 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
- InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 固体CaOによる浸透現象を利用した溶銑脱燐の基礎的検討
- J0401-4-2 家兎長管骨再生過程における再生骨の力学機能評価(生体材料およびその表面改質材(4))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 7-333 大阪大学グローバルCOEプログラム : 「構造・機能先進材料デザイン教育研究拠点」((17)国際化時代における工学教育-III,口頭発表論文)
- Molecular-Beam Epitaxial Growth of(001)Cr/Al/Cr/Al Quadrilayer Superlattice Containing One-Monolayer-Thick Cr Layers
- Stranski-Krastanov Growth of Al on Ag Layers during Molecular Beam Epitaxy of(111) Al/Ag Superlattices
- Molecular-Beam Epitaxial Growth of Short-Period(001)Al/Ag/Cr Superlattices with Intermediary Ag Layers
- Solid-State Amorphization in Al/Pd Multilayer during Near-Room-Temperature Molecular-Beam Deposition
- Molecular Beam Epitaxial Growth and Structures of Al/Ag Superlattices
- Structure and Magnetic Properties of [Ag/Ni/Au] and [Au/Ni/Ag] Superlattices
- 422 均質化法による骨髄骨のマルチスケール・モデリングとその検証(生体・医療材料III,生体・医療材料,オーガナイズドセッション10)
- InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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