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大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest | 論文
- 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 2010 SISPADレビュー(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション
- 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)