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大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻 | 論文
- 432 シャルピー衝撃試験とCTOD破壊靭性試験の脆性破壊限界に及ぼす機械的特性の影響(強度・破壊(II))
- 予歪付与後の780MPa級高張力鋼の変形挙動調査 : 予歪付与後の780MPa級高張力鋼の破壊安全性に関する研究(第1報)
- Fe-C2 元系における C の固液間の分配
- 2液相分離を利用した炭素飽和Fe-Cu合金の2重構造粒子の試作
- ZrNiSnハーフホイスラー系における結晶相-アモルファス相複合焼結体の作製とその熱電特性の評価 (特集 粉末冶金プロセスの制御と製品の特性評価)
- 熱電変換材料の特性に及ぼす界面の影響 (特集 材料界面の諸問題とその応用)
- 企画にあたって
- 353 低変態温度用溶接材料を用いた残留応力低減の為の溶接施工手法の検討(溶接変形・残留応力(III),平成20年度秋季全国大会)
- 二方向照射による溶接変形量の低減 : レーザ溶接による自動車部品のミクロン・サブミクロンレベルにおける変形挙動に関する研究(第3報)
- 集光点におけるビームプロファイルが溶接変形に与える影響 : レーザ溶接による自動車部品のミクロン・サブミクロンレベルにおける変形挙動に関する研究(第2報)
- 円筒部品の円周溶接時における曲げ変形挙動解析 : レーザー溶接による自動車部品のミクロン・サブミクロンレベルにおける変形挙動に関する研究(第1報)
- 27pYA-12 X-band ESRによるGaAs:Er,Oの発光中心の解明III(磁性半導体)(領域4)
- 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
- 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
- InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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