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大工試 | 論文
- 2a-F-15 遷移金属カルコゲナイドのフェルミ面の異方性(角相関測定)
- 5a-YC-11 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出
- 1%C-5%Cr ロール鋼へのイオンミキシング法による TiN 被膜の形成と耐摩耗性の向上
- 3H24 マイクロブラスト法によるセラミックスの耐***ージョン性評価
- 3E04 アルミナ複合体のトライボロジ特性
- 3C36 Bi 系超伝導ウイスカーの引っ張り強度
- 微細気孔性シリカ多孔体の製造法
- 微細気孔性アルミナ多孔体の製造法
- 5p-P-7 弾性衝突によるシリサイド生成におけるしきいエネルギー
- 2p-RL-3 イオン誘起界面反応
- 29a-SA-5 界面反応の阻止能依存性
- 4p-NB-2 EXAFSによる非晶質PbTiO_3の構造研究
- 5a-Q-2 SiC中の結晶粒界の原子構造と電子構造-Si中粒界との比較
- 5a-Q-1 アルミナ/遷移金属界面の電子構造計算
- 3a-A3-24 SiC中の結晶粒界の原子構造と電子構造
- 3a-A3-10 セルフコンシステント強結合近似電子輪における原子間力
- 3a-A3-9 半導体Si中の結晶粒界の活性準位の起源
- 3a-A3-8 半導体Si中の(21i)双晶の原子構造と電子構造
- セラミックスの電接法
- 高温イオン化反応によるSi-carbide膜-2-(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)