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大工試 | 論文
- 高温イオン化反応法によるSi-carbide膜 (第24回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 3p-B4-2 InP(100)P(2x4)表面とAu層との界面反応
- 27p-Z-5 分子イオンの後方散乱強度に対するVicinageの効果
- 3H20 SiC 粒界の極性界面の第一原理引っ張り試験
- 1I05 第一原理分子動力学法による炭化ケイ素粒界の強度予測
- 1D15 SiC 粒界の第一原理引っ張り試験
- 1D14 SiC/Ti 界面の第一原理計算
- 12a-DK-5 化合物半導体中の結晶粒界の原子配列と電子構造 : 界面のストイキオメトリと同種原子ボンドの効果
- 29a-D-10 Si中の結晶粒界の原子・電子構造とエネルギー-傾角粒界とねじり粒界の比較
- 材料界面の知的材料設計--半導体,セラミックスの粒界・界面の原子・電子構造計算 (知的材料設計)
- 26a-H-9 SiC中の結晶粒界の原子配列と電子構造-{211}Σ=3粒界
- 26a-H-8 多結晶Si中のgap内準位の起源一粒界の原子構造乱れと電子構造の相関
- 2E03 アルミナ/遷移金属界面の電子構造と反応性
- 2E02 共有結合性セラミックスの結晶粒界の極性界面と非極性界面の理論 : SiC 中粒界の分析
- 2E01 共有結合性結晶中の結晶粒界の原子構造と電子構造 IV : 多結晶 Si 中のギャップ内準位の起源
- 28a-ZN-3 化合物半導体中の粒界の極性界面と非極性界面の理論 : SiC中粒界の分析
- 複合化の科学と技術-2-粒界の物理的・化学的性質(セラミックス基礎工学講座)
- 結晶界面の電子構造の計算 (結晶界面の構造・性質とその利用)
- 30p-K-13 Si中のねじり粒界の原子配列と電子構造II
- 3B40 共有結合性結晶中の結晶粒界の原子構造と電子構造 III : Si 中のねじり粒界