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大同特殊鋼株式会社技術開発研究所 | 論文
- 30p-J-7 Stained GaAsによるスピン偏極電子源の開発 II
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 幅の異なる量子井戸を有する共鳴キャビティLED
- 高率放電特性の優れた電池用C14型ラーベス相合金の開発
- 歪んだGaAs薄膜のスピン緩和時間の測定
- スピン偏極電子線源とその分析への応用
- InGaAs/AlGaAs多重量子井戸を用いた電流狭窄型発光ダイオードの低劣化挙動
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 28a-ZF-3 GaAs/GaAsP/Si構造中のスピン偏極電子流とミュオンの相互作用
- ブラッグ反射鏡を用いた赤外点光源LEDの開発
- ブラッグ反射鏡を用いた赤外点光源LEDの開発
- グロー放電質量分析法におけるAlの相対感度係数の濃度依存性
- 29a-C-4 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発V
- 29p-W-9 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発 IV
- 24pSB-7 GaAs/Si中の光励起電子によるミュオニウムスピン緩和
- 熱処理した Ti-47at.% Al 金属間化合物の高温曲げ変形挙動に及ぼすγ相等軸粒の影響
- Ti-Al金属間化合物鋳造材の高温曲げ変形挙動に及ぼすラメラ体積分率の影響
- Ti-47at.%Al金属間化合物鋳造材の高温曲げ破壊特性と変形組織
- アルミクラッドによる傾斜硬度刃物材料の開発