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名大・工学部 | 論文
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- InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
- Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
- 30p-Z-6 二重量子井戸構造における光伝導 II
- 3a-C-3 二重量子井戸構造における光伝導
- 28a-F-17 半導体超格子のホットエレクトロン
- 28a-A-14 二重量子井戸のホトルミネセンス
- 13p-H-7 Impure Barrierのトンネル効果 III
- 5p-H-10 Impure BarrierのTunnel効果 II
- 9a-B-13 GeトンネルダイオードのZ.B.A
- 1a-BJ-2 半導体の高電界下の核酸係数
- 4a-E-11 名大トーラスのミリ波測定
- 6p-H-1 ライナー付名大トーラスの実験(I)
- 3p-H-1 Ge(000)valleyのBand Tail III
- 5a-NL-18 Time-of-Flight法によるP-Siの電子移動度
- 1a-K-4 P-Siにおける暖かい電子
- 3p-B-7 Time-of-Flight法によるSiの拡散係数
- 30a-D-2 高電界下の非線型伝導
- 4a-LT-7 高電界下の非線型伝導 III
- 1a-BJ-1 高電界下の非線型伝導 II