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名古屋大学工学研究科応用物理学専攻 | 論文
- 12pPSA-7 半金属量子井戸 ErP/GaInP/GaAs 共鳴トンネルダイオードの負性微分抵抗(領域 4)
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
- フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
- 1原子挿入層によるヘテロ界面と結晶性の制御(電子部品・材料, 及び一般)
- 31pZF-5 ケルビンカ顕微鏡による GaAs 上 InAs 量子ドットの局所ポテンシャル観測
- 17pRF-14 スピンコート膜中のメロシアニン色素J会合体の走査プローブ顕微鏡観察 II
- 28pTB-8 InP(001)面におけるErPの成長と表面構造
- 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
- 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
- 25aTA-4 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットのトンネルスペクトルにおける光照射効果
- 23pW-2 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットの走査トンネル分光
- 25pY-8 光照射下におけるInAs/GaAs自己形成量子ドットの走査トンネル分光
- 25pY-7 走査トンネル分光を用いたInAs/GaAs量子ドットの量子閉じ込め効果の観測
- 26p-YR-9 InGaAs/InP多層量子井戸構造の断面STM観察
- 6aSN-1 GaAs上InAs量子ドットの走査トンネル分光における金属吸着効果(表面ナノ構造量子物性,領域9)
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