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名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 | 論文
- C-8-13 積分器を組み込んだ相補型デルタアナログ-デジタル変換器の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-3 ISTEC 10kA/cm^2 Nbプロセスを用いた単一磁束量浮動小数点乗算器内のクロック供給法の改善と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-1 Nb-9層アドバンストプロセスを用いて試作したシフトレジスタの測定評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- SFQ回路におけるタイミングジッタの定量的評価(エレクトロニクス)
- C-8-7 消費電力数nWの単一磁束量子回路の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 22pGD-5 Ni-rich Al-Co-Ni 2次元準結晶の軟X線発光分光(22pGD 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pPSA-29 Fe_M_xVAl(M=Co, Rh, Ir)の価電子帯電子構造に対する部分置換の効果(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 消費電力数nWの単一磁束量子回路の動作実証(超伝導マイクロ波応用,信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- 準1接合SQUID比較器の高周波特性(超伝導マイクロ波応用,信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- 相補型デルタアナログ-デジタル変換器の性能改善に向けた積分器の導入(超伝導マイクロ波応用,信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- 大規模SFQ回路のためのNb多層アドパンストプロセスの開発(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- プラズマ窒化AlNx障壁層を特つNbNトンネル接合の電気的特性改善(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- 磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- C-8-10 10kA/cm^2Nbプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点加算器の設計と測定評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-11 FIFOを搭載した単一磁束量子再構成可能データパスの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-4 高速動作化を目指した相補型デルタアナログ-デジタル変換器の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-13 低消費電力単一磁束量子回路における受動線路の評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CT-1-5 ジョセフソン効果のデジタル応用(CT-1.発見から50年!ジョセフソン効果のインパクト,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
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