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名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 | 論文
- Nbアドバンストプロセスを用いた単一磁束量子浮動小数点演算器の設計(ディジタル,一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性
- AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける励起子遷移と周辺環境効果
- カーボンナノチューブの基礎と応用
- QOSにおけるグレーゾーンの解析(ディジタル,一般)
- C-8-10 SFQ浮動小数点乗算器の同期化および動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-9 アドバンスドプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点加算器の高速化に関する検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 受動モード同期イッテルビウム添加ファイバレーザを用いた1.0-1.7μm波長可変超短パルスの生成(次世代伝送用ファイバ,機能性光ファイバ,フォトニック結晶ファイバ,ファイバ非線形現象,一般)
- プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製(接合及び材料,一般)
- Nb多層デバイス構造用セルライブラリに向けた最適なモート構造の検討(単一磁束量子大規模集積回路技術の現状と将来展望、デジタル応用及び一般)
- 小型中性子回折装置に向けたSFQ回路開発(ディジタル,一般)
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