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古河電気工業株式会社横浜研究所 | 論文
- C-4-2 850nm酸化狭窄型VCSEL10Gbps変調特性
- ハイパワー受光用導波路型フォトダイオード
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz×20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- C-3-48 Uターン型InP-PLCハイブリッドデバイスの結合損失と反射減衰量の低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 光ファイバアンプ用高出力半導体レ-ザ-
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- SMファイバMT-RJ光トランシーバモジュール
- C-3-11 プラスチックパッケージ型4ch光アレイモジュール
- 導波路PDとトランスインピーダンスアンプを内蔵したSCレセプタクル型プラスチック受信モジュール
- モードフィールド変換レーザを有するプラスチックパッケージ型SCレセプタクル光モジュール
- SC-2-2 1300nm 帯 GaInNAsSb 系 VCSEL 及び 850nm 帯 10Gbps-VCSEL
- C-4-13 850nm 帯 VCSEL を用いた 12ch アレー
- 980nm p基板面発光レーザ
- パッシブアライメント980nmVCSELアレーモジュール
- 980nm InGaP クラッドレーザに於けるビームステアリング現象
- 擬ポテンシャル法によるアルミニウム合金固溶体の弾性定数の計算
- 3次元偏光光学系を利用したエネルギー分散型蛍光X線分析装置による黄銅中有害金属の高感度非破壊分析
- 蛍光X線による銅合金中有害金属の迅速分析
- C-4-7 低雑音半導体光増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)