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千葉大・理・物理 | 論文
- 30aYF-11 螺旋対称性を持つ空孔半導体In_2Se_3の電子物性に関する第一原理計算(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
- 25pPSB-1 InGaNエピタキシャル成長における表面歪みと結晶多形の関係性の解明(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-75 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III
- 3a-H-4 初等力学の講義実験の直感的精密化
- 28a-G-2 非縮退光による半導体光学スペクトル
- 12p-DD-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算III
- 30p-N-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算II
- 26a-ZE-9 非線形感受率X^の第一原理からの理論計算
- 29p-X-3 異結晶型半導体超格子の電子構造
- III-V/II-VI半導体界面の誘電応答異方性スペクトルの理論計算
- 29a-YQ-2 アルカリハライド超格子の電子構造と光学的性質
- 29p-X-4 異種族半導体接合系の電子状態 III
- 28p-X-5 半導体歪超格子の電子状態
- 27a-C-8 異種族半導体接合系の電子状態II
- 24p-M-3 異種族半導体接合系の電子状態
- 1p-TB-8 超薄膜半導体超格子の電子状態と光学スペクトル
- 30a-Z-4 亜鉛化合物半導体歪超格子の電子構造とオフセット
- 6a-A2-15 半導体界面の誘電的性質II