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北陸先端大 | 論文
- StarBEDにおけるセキュリティとユーザビリティを考慮した物理構成(ネットワーク研究開発テストベッド運用・利用,ネットワーク研究開発テストベッド運用・利用,一般)
- 26p-G-11 CsCo_Mg_xCl3の強磁場磁化
- YBa_2Cu_3O_における熱駆動力による磁束運動
- 2p-S-10 高次フラーレンのイオン化ポテンシャル
- 12p-PSA-48 YBa_2Cu_4O_8上の金属電極II
- 29pXB-6 TbNiSn単結晶の磁場誘起磁気構造
- 26p-G-5 Haldane 物質TMNINとNINAZの強磁場磁化過程
- 4a-F-14 Sm_3Te_4のXPS, X-BIS
- 28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-7 高In組成InGaAs/InA1Asヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 23pXE-4 ハロゲン架橋一次元金属錯体 Ni_2(CH_3CS_2)_4I の電荷秩序
- 30pZA-11 ハロゲン架橋一次元複核金属錯体 Ni_2(dta)_4I (dta=CH_3CS_2) の磁気特性
- 30pZA-9 [Pt_2(dta)_4]I の ^Pt NMR
- 18pWF-5 NMRによるアンモニア・フラーレンの磁性の研究
- 28pXD-5 MMX錯体のNMR III
- SC-8-2 高容量リチウムポリマー電池新規有機硫黄ポリマーの合成と特性
- 25pYG-4 MMX錯体のNMRII
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