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北陸先端大ナノセ | 論文
- 26a-YE-2 高In組成In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ構造2次元
- 26aWQ-6 InGaAs/InAlAs 2層2次元電子ガス系試料の極低温伝導面内異方性と構造解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aWQ-5 InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pRP-4 狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aZC-9 半導体量子ポイントコンタクトにおける電子間相互作用(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-8 大きいスピン軌道相互作用を示す高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスの異方的面内伝導(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-7 高In組成InGaAs/IhAlAs逆ヘテロ接合におけるRashba効果のInAlAs cap依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-6 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるRashba効果の界面歪み依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 8a-S-2 MBE成長non-dope GaAs薄膜の不純物と補償比の評価
- 30p-X-8 AlAs量子井戸中Xバンド電子の永続光電流と量子ホール効果
- 25pRP-4 狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30p-R-7 GaInAs/AlInAs多重量子井戸縦方向I-V特性への磁場効果
- 26p-YJ-8 超微粒子磁性体Pdの磁化測定
- 28a-PS-114 GaAs基板上Ni薄膜の準1次元、2次元磁性体
- 26p-YJ-7 GaAs基板上Ni細線のMFM観察
- 31p-Z-12 半導体上微小磁性体の観察と磁気伝導II
- 31p-Z-11 Niドットを蒸着したGaAs表面磁気伝導特性
- 7a-YG-10 半導体上微小磁性体の観察と磁気伝導
- 7a-N-6 磁性ドット埋め込み構造の磁気力顕微鏡(MFM)解析及び、電気伝導特性
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