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北大触媒セ | 論文
- 23PWB-3 単一 CdSe 量子ドットの光学特性
- 31p-Q-6 マグネタイト単結晶(110)表面の結晶構造解析
- 座談会「増原宏先生の研究と人」
- レーザ照射Fe/GaAsのSTM観察
- 23PWB-3 単一 CdSe 量子ドットの光学特性
- 28p-WB-6 Si(111)7x7 表面でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の初期異常の原因の考察
- 30a-ZF-3 Si(111)7x7表面におけるステップの再構造化とステップ成長
- 1p-TA-11 K/Si(001)吸着系の構造と物性
- 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31p-PSB-24 Si(111)7×7単位格子形成課程のSTM観察
- 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14a-DH-2 Si(111)7x7上のホモエピタキシャル成長 : ステップの種類毎の成長モデル
- 28aB11 Si(111)7×7表面上でのステップ成長様式(基礎V)
- 25a-Y-5 Si/Si(111)7x7 : ステップおよびテラス成長初期のSTM像の考察
- Si(111)-(7×7)DAS構造成長中のDomain安定化機構 : その場観察I
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 2a-E-1 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、pt(001)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究 II : 照射レーザー偏光依存性
- 2p-T-5 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、Pt(100)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究I : 並進・回転エネルギー分布
- 2p-T-4 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの紫外レーザー刺激脱離IV : 偏光・波長依存性