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佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター | 論文
- 21pPSA-12 Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- SAGA Light Source の現状及びシンクロトロン光を用いたプロセス技術
- シンクロトロン光励起プロセスの半導体応用と展望
- 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター事業の現状と利用計画
- 光照射MOVPE成長によるZnTe膜のフォトルミネッセンス : エピタキシャル成長IV
- 22aB6 有機金属原料を用いたシンクロトロン放射光によるZnTeのホモエピタキシャル成長(気相成長I)
- マイクロ波プラズマ化学気相法によるダイヤモンド薄膜の成長
- Ga 溶液 SiLPE における基板面方位の効果 : エピタキシー II
- A1 ドープ ZnTe の MOVPE 成長 : エピタキシー I
- p型ZnTeへのオーミックコンタクト : 薄膜
- ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究(III)
- 半導体素子の製作技術に関する研究
- ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究(II)
- SR光励起成長法によるZnTeの成長特性 : 気相成長III
- ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究
- 27pC6 MOVPE法によるZnTeへのAlドーピング(気相成長III)
- 27pC5 有機金属を原料としたシンクロトロン放射光照射によるZnTeのエピタキシャル成長(気相成長III)
- 光照射MOVPE法によるZnTeの常圧成長 : 気相成長I
- Ar^+レーザ照射MOVPE法によるZnTeの成長特性 : エピタキシーI
- ZnTe Ar^+レーザ光照射MOCVD成長 : エピタキシーII