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住友重機械工業(株)技術開発センター | 論文
- 微細転写領域における樹脂流動解析数値流体力学からの新アプローチ
- 内部周期構造によるガラス基板のホログラフィックマーキング
- 30p-ZD-2 ポジトロニウムのレーザー冷却VIII
- 28a-K-8 ポジトロニウムのレーザー冷却VI : TOFを用いたポジトロニウムの速度分布の測定
- レーザーコンプトンによるフェムト秒X線発生
- レーザーコンプトン散乱を用いた小型フェムト秒高輝度X線発生装置
- 28pSM-6 フォトカソードRFガンによる高輝度電子線発生
- 28pSM-5 レーザートムソン散乱による短パルスX線の発生
- 29a-PS-149 レーザーフォトカソードRF電子銃の製作と性能試験
- 全固体ピコ秒光源の開発
- 31a-YL-5 ポジトロニウムのレーザー冷却 V ポジトロニウム冷却実験の概要
- 31a-YL-4 ポジトロニウムのレーザー冷却 VI Cr:LiSAFレーザーによるポジトロニウムの励起実験
- 20p-G-4 ポジトロニウムのレーザー冷却IV : 熱脱離低速ポジトロニウムの測定
- 20p-G-3 ポジトロニウムのレーザー冷却III : 陽電子のトラッピング
- 20p-G-2 ポジトロニウムのレーザー冷却II : 水素原子の1s→2s励起とポジトロニウムの1s→2p励起
- 20p-G-1 ポジトロニウムのレーザー冷却I : 高密度ポジトロニウム生成と短時間レーザー冷却
- 極短パルスX線の発生と利用
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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