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九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻 | 論文
- β-FeSi_2/Siヘテロ接合と整流特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- レーザーアブレーション法による超ナノ微結晶ダイヤモンド膜の創製とその成長プロセス
- RS-Ga_2S_3系硫化物ガラス(R=Ca,Sr,Ba)の生成領域と構造
- 1H08 RS-Ga_2S_3 系ガラス (R : Ca, Sr, Ba) の生成領域と構造、物性
- レーザーアブレーション法におけるダイヤモンド薄膜成長機構に関する考察
- ArFレーザーを用いたレーザーアブレーション法による酸素雰囲気中におけるダイヤモンド薄膜のホモ成長
- レーザーアブレーション法によるカーボン薄膜の作成とその評価
- PLD法によるカーボン薄膜の形成
- 異方性ヴィスカス・フィンガーによる樹枝状形態
- RS-Ga_2S_3(R=Sr, Ba)ガラスにおけるNdの溶解性
- フェムト秒レーザーによる非晶質硫化物薄膜へのマイクロレンズの形成
- Ge-Sガラスにおけるジスプロシウムの溶解性
- No.39 石炭チャーを用いた石炭迅速熱分解タールのin-situ改質(ガス化,燃焼,タール改質)
- [非晶質Si/非晶質FeSiGe]_n積層構造の固相成長による歪変調βーFeSi_2(Ge)の形成
- 担持酸化マンガン触媒によるベンゼンのオゾン酸化反応 : 活性を支配する因子の検討と高活性化の試み
- レーザーアブレーション法によるカーボン薄膜の作成とその評価
- 強磁性Fe_3Si/半導体FeSi_2ヘテロ積層膜の構造と電気磁気特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 強磁性Fe_3Si/半導体FeSi_2ヘテロ積層膜の構造と電気磁気特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 強磁性Fe_3Si/半導体FeSi_2ヘテロ積層膜の構造と電気磁気特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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