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中央大学大学院理学部研究科情報工学専攻 | 論文
- 低電力90-nm CMOS SRAMの開発(メモリ/クロック,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 低電力90-nm CMOS SRAMの開発(メモリ/クロック,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- D-11-61 探索領域サイズを適応的に可変する動きベクトル検出
- SC-11-9 高速・低電力CMOS LSIに向けた動的制御可能な電圧レベル変換回路(SVL)(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- 待機時、動作時電圧レベルを適応的に可変する電圧レベル変換(SVL)回路を適用した高速・低電力SRAMの設計・試作・評価(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 待機時、動作時電圧レベルを適応的に可変する電圧レベル変換(SVL)回路を適用した高速・低電力SRAMの設計・試作・評価(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- C-12-18 弱反転層動作を用いた極低電力 CMOS 論理回路術
- 高速・低電力CMOS LSIに向けた動的制御可能な電圧レベル変換回路(SVL)とその応用(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 高速・低電力CMOS LSIに向けた動的制御可能な電圧レベル変換回路(SVL)とその応用(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- C-12-14 CMOSドミノ回路の高速化とBLC加算回路への適用
- 低消費電力・低リーク電流90-nm CMOSクロックドライバ(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- C-12-10 SVL回路を適用した低リーク電流8ビット90-nm CMOS桁上げ伝播加算回路の設計(C-12. 集積回路B(ディジタル), エレクトロニクス2)
- C-12-8 90-nm CMOSクロックドライバの低電力化と高速化(C-12. 集積回路B(ディジタル), エレクトロニクス2)
- C-12-7 CMOS桁上げ先見加算回路の低電力化と高速化(C-12.集積回路B(ディジタル))
- C-12-6 乗算回路向けCMOS部分積生成回路の低電力化と高速化(C-12.集積回路B(ディジタル))
- サブサンプリングを併用した中断法動きベクトル検出アルゴリズム
- C-12-7 SVL回路を適用した低リーク電流180-nm CMOS SRAMの設計(C-12. 集積回路B(ディジタル), エレクトロニクス2)
- 電圧レベル変換 (SVL) 回路を適用した低リーク 90-nm CMOS SRAM(低消費 LSI-1, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
- 180-nm CMOS クロックドライバの低電力化と高速化(低消費 LSI-1, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
- 電圧レベル変換 (SVL) 回路を適用した低リーク 90-nm CMOS SRAM(低消費 LSI-1, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
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