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上智大理工:CREST-JST | 論文
- 22pPSA-29 低次元磁性体Cu_3Mo_2O_9のCu-NMR IV(22pPSA 領域3ポスターセッション(酸化物・f電子系磁性・スピングラス・量子スピン・フラストレーション系・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pGJ-4 Cu_3Mo_2O_9のμSR測定(21pGJ 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pHS-3 歪んだ三角格子物質RbCoBr_3の磁場中誘電率測定(23pHS 誘電体(マルチフェロイック・ドメイン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 27pPSA-12 Cu_3Mo_2O_9の中性子非弾性散乱(領域3ポスターセッション(量子スピン系・フラストレーション系等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 28aTG-1 Cu_3Mo_2O_9におけるS=1/2一次元反強磁性鎖とスピンダイマーの混成磁気分散(28aTG 量子スピン系(一次元系及びその他),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aRL-3 Eu_Y_yMnO_3(0.5
- 26aQJ-3 低次元磁性体Cu_3Mo_2O_9のCu-NMR III(量子スピン系(一次元系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 28aTG-3 低次元磁性体Cu_3Mo_2O_9のCu-NMR II(28aTG 量子スピン系(一次元系及びその他),領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aYH-6 ランダム配置GaNナノコラムにおける光のアンダーソン局在(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
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