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上智大理工:CREST-JST | 論文
- 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-57 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-79 GaNナノコラム結晶の発光特性II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-29 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSB-10 GaNナノコラム結晶の光学特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-27 GaNおよびInGaN/GaNナノコラム結晶の光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 18aPS-125 TlCoCl_3の光物性と圧力効果(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pXK-12 TlCoCl_3の低温強磁場下光散乱(25pXK フラストレーション系,f電子系磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aTG-11 光散乱で観測したCu_2Fe_2Ge_4O_の磁気励起(28aTG 量子スピン系(一次元系及びその他),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aQH-3 Cu_2Fe_2Ge_4O_の磁気励起(20aQH 量子スピン系(クラスター系及び一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aPS-74 GaNナノコラムの高圧下ラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 27pPSB-32 低次元性磁性体Cu_3Mo_2O_9の磁性の圧力効果(27pPSB 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aQH-1 低次元磁性体Cu_3Mo_2O_9の反強磁性秩序の磁場依存性(21aQH 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 30aSB-1 一次元競合系A_2Cu_2Mo_3O_(A=Rb,Cs)の磁性の圧力変化(30aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSB-3 A_2Cu_2Mo_3O_(A=Rb, Cs)の高圧下の帯磁率(領域3ポスターセッション,量子スピン系(一次元系),量子スピン系(二次元系),量子スピン系(クラスター系,および一般),フラストレーション系,磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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